Détail de la notice
Titre du Document
Morphology and optical properties of Mg doped GaN nanowires in dependence of growth temperature
Auteur(s)
LIMBACH F. ; SCHÄFER-NOLTE E. O. ; CATERINO R. ; ...
Résumé
The influence of the substrate temperature and Mg doping on the morphological and optical properties of catalyst-free GaN nanowires grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy on Si(111) has been investigated in a large temperature range between 665°C and 785°C. The density and wire sizes in Mg-doped nanowires are found to change with substrate temperature in a similar way as undoped nanowires. Between 725 °C and 785 °C a trimodal size distribution and an increase of the wire density from 5.0×109 cm-2 to 9.5×109 cm-2 were observed. Transmission electron microscopy indicates that the upper parts of the nanowires are free of structural defects. Raman spectroscopy measurements confirm a high crystalline quality of doped wires, with a line width of the E2H of 3.3 cm-1 for samples grown at Ts=785 °C. Photoluminescence measurements show a strong influence of Mg on the emission properties, namely the increase of the donor-acceptor pair emission and its phonon replicas.
Editeur
INOE 2000
Identifiant
ISSN : 1454-4164
Source
Journal of optoelectronics and adavnced materials A. 2010, vol. 12, n° 6, pp. 1433-1437 [5 pages]
Langue
Anglais
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