Détail de la notice
Titre du Document
Primary defects in silicon : existence, characteristics, and their role after high fluence irradiation
Auteur(s)
LAZANU S. ; LAZANU I. ; CIUPINA V. ; ...
Résumé
In this contribution, an extensive analysis of the primary defects in silicon: vacancy, interstitial and SiFFcD is performed. Irradiation studies are a useful tool to study production, characteristics and annealing of defects. The experimental results obtained after high proton fluence irradiation of silicon detectors are used in this paper to understand aspects related to the existence and proprieties of primary defects. Investigations on possible differences induced by irradiation in the lattice of silicon, using transmission electron microscopy analysis, have been started and some first preliminary results are presented.
Editeur
INOE 2000
Identifiant
ISSN : 1454-4164
Source
Journal of optoelectronics and adavnced materials A. 2007, vol. 9, n° 4, pp. 814-817 [4 pages]
Langue
Anglais
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