Détail de la notice
Titre du Document
Electrical effect in organic thin-film transistors using polymerized gate insulators by vapor deposition polymerization (VDP)
Auteur(s)
PYO S. W. ; LEE D. H. ; KOO J. R. ; ...
Résumé
We report that the organic thin film transistors were fabricated by the organic gate insulators transistor with vapor deposition polymerization (VDP) processing. In order to form polyimide as a gate insulator, vapor deposition polymerization process was also introduced instead of spin-coating process, where polyimide film was co-deposited by high-vacuum thermal evaporation from 2,2-bis(3,4-dicarboxyphenyl) hexafluoropropane dianhydride (6FDA) and 4,4'-oxydianiline (ODA), and cured at 150 °C for 1 hour followed by 200 °C for 1 hour. Details on the explanation of organic thin-film transistors (OTFTs) electrical characteristics of 6FDA-ODA as gate insulators fabricated thermal co-deposition method.
Editeur
Elsevier Science; Elsevier Science; Elsevier Science
Type du document
Conférence : ICSM 2004 International Conference on Science and Technology of Synthetic Metals, Wollongong, AUS, 2004-06-28
Identifiant
ISSN : 0379-6779 CODEN : SYMEDZ
Source
Synthetic metals A. 2005, vol. 154, n° 1-3, pp. 141-144 [4 pages] [bibl. : 7 ref.]
Langue
Anglais
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