Détail de la notice
Titre du Document
Polycrystalline silicon deposited on glass by subatmospheric-pressure chemical vapour deposition at a high rate
Auteur(s)
MÜNSTER Peter ; SARRET Michel ; MOHAMMED-BRAHIM Tayeb ; ...
Résumé
Amorphous silicon films have been deposited on glass by subatmospheric-pressure chemical vapour deposition and then crystallized by solid-phase crystallization. The structural and electrical properties of these polycrystalline silicon films are presented in this work. Good crystalline quality at a deposition pressure of about 400 mbar has been achieved as well as values of the mobility-lifetime product above 10-5cm2V-1 and an ambipolar diffusion length near 200nm. Depending upon the deposition temperature and pressure, growth rates of up to 20 μm h-1 can be obtained. In-situ doping with arsenic and boron has been studied using Hall effect measurements. High mobilities around 45 cm2 V-1 s-1 have been attained for highly n-type doped samples and mobilities in the range from 20 to 30 cm2 V-1 s-1 for boron-doped samples.
Editeur
Taylor & Francis
Identifiant
ISSN : 1364-2812
Source
Langue
Anglais
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