Détail de la notice
Titre du Document
In0.14Ga0.86As solar cells grown by molecular-beam epitaxy
Auteur(s)
KATSUMOTO S. ; YAMAMOTO A. ; YAMAGUCHI M.
Résumé
Etude des propriétés photovoltaïques de cellules solaires à InxGa1−xAs, avec une bande interdite de 1,2 eV, préparées par épitaxie en jet moléculaire, et dans lesquelles on utilise des couches graduelles de 0,1 μm d'épaisseur. On décrit également les propriétés de ces cellules après irradiation électronique
Editeur
Japanese journal of applied physics
Identifiant
ISSN : 0021-4922 CODEN : JJAPA5
Source
Japanese journal of applied physics A. 1985, vol. 24, n° 5, pp. 636-637 [bibl. : 5 ref.]
Langue
Anglais
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