Détail de la notice
Titre du Document
Acoustic-phonon emission due to localized photoexcitation of Si : electron-hole droplets versus the phonon hot spot
Auteur(s)
ESIPOV S. E. ; MSALL M. ; WOLFE J. P.
Résumé
We consider theoretically the evolution of nonequilibrium carriers and phonons created by optical excitation of Si at low temperatures (T<2 K) in light of recent heat-pulse experiments. At low excitation levels (≤20 W/mm2), the detected phonons indicate a quasidiffusive propagation mode, involving anharmonic decay and elastic scattering of relatively high-frequency (≥1 THz) phonons. At intermediate excitation densities (≥20 W/mm2) a transition is observed to a localized source of relatively low-frequency (≤1 THz) phonons. The threshold for this effect is much lower than that predicted for the formation of a hot spot involving only the phonon system
Editeur
American Physical Society; American Institute of Physics
Identifiant
ISSN : 0163-1829 CODEN : PRBMDO
Source
Physical review. B, Condensed matter A. 1993, vol. 47, n° 20, pp. 13330-13337 [bibl. : 19 ref.]
Langue
Anglais
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