Détail de la notice
Titre du Document
Sputtering of group-IIIa elements. Properties of the metal cluster formation mechanism
Auteur(s)
LILL T. ; CALAWAY W. F. ; MA Z. ; ...
Résumé
Neutral and positively charged clusters have been produced by 4 keV argon ion bombardment of liquid gallium and the liquid gallium-indium eutectic alloy. The yields, kinetic energy distributions, and the abundance distributions have been studied by time-of-flight mass spectrometry coupled with single photon post-ionization of the neutrals. The results are compared to experimental data on cluster sputtering from polycrystalline aluminum and indium previously obtained in our laboratory. The abundance distributions of the neutral and ionic mixed gallium-indium clusters with equal number of atoms are found to be statistical. Since the first atomic layer of the gallium-indium system is labeled due to surface segregation, the depth of origin of these clusters becomes experimental assessable
Editeur
Elsevier Science; Elsevier Science; Elsevier Science
Identifiant
ISSN : 0039-6028 CODEN : SUSCAS
Source
Surface science A. 1995, vol. 322, n° 1-3, pp. 361-372 [bibl. : 35 ref.]
Langue
Anglais
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