Détail de la notice
Titre du Document
Effect of Interfacial Properties of p-GaN/Sputter-Deposited NiAg-Based Electrode on Optical Properties of Vertical GaN-Based LEDs
Auteur(s)
KIM Sunjung
Résumé
The influence of the interfacial adhesion and reflectance of a p-GaN/NiAgNiAu p-electrode on the optical properties of vertical GaN-based light emitting diodes (LEDs) was investigated. The thickness of the sputter-deposited Ni ohmic contact was varied from 2 to 100 nm. The p-electrode with a 2 nm thick Ni layer showed the highest adhesion strength of 160 MPa to the p-GaN and the highest reflectance of 80.79% after annealing because all the Ni atoms participated in the indiffusion into p-GaN and formed a transparent NiO. The NiAgNiAu p-electrodes with a higher reflectance led to the improved output power of the vertical LEDs regardless of the interfacial adhesion strength of p-GaN/Ni.
Editeur
Institute of Electrical and Electronics Engineers
Identifiant
ISSN : 1099-0062
Source
Electrochemical and solid-state letters A. 2009, vol. 12, n° 12, [H441-H444]
Langue
Anglais
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