Détail de la notice
Titre du Document
Enhancement-mode InP n-channel metal-oxide-semiconductor field-effect transistors with atomic-layer-deposited Al2O3 dielectrics
Auteur(s)
WU Y. Q. ; XUAN Y. ; SHEN T. ; ...
Editeur
American Institute of Physics
Identifiant
ISSN : 0003-6951 CODEN : APPLAB
Source
Applied physics letters A. 2007, vol. 91, n° 2, [022108.1-022108.3]
Langue
Anglais
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