Détail de la notice
Titre du Document
Dry etching of magnesium oxide thin films by using inductively coupled plasma for buffer layer of MFIS structure
Auteur(s)
KIM Gwan-Ha ; KIM Chang-Il ; FUJIWARA Nobuo (Editeur scientifique) ; ...
Corporation(s) du ou des auteurs
Institute of Electrical Engineers of Japan JPN (Organisateur de congrès); Japan Society of Applied Physics JPN (Organisateur de congrès)
Résumé
Magnesium oxide thin film has been widely used as a buffer layer and substrate for growing various thin film materials because of very low Gibbs free energy, low dielectric constant and low refractive index. The investigations of the MgO etching characteristics in BCl3/Ar plasma were carried out using the inductively coupled plasma system. It was found that the increasing BCl3 in the mixing ratio of BCl3/Ar plasma causes monotonic MgO etch rate. The results showed in the BCl3-rich plasma that the etching process is dominantly supplied by the chemical pathway through the ion-assisted chemical reaction.
Editeur
Elsevier Science
Type du document
Conférence : DPS 2005: International Symposium on Dry Process, Jeju, KOR, 2005-11-28
Identifiant
ISSN : 0040-6090 CODEN : THSFAP
Source
Thin solid films A. 2007, vol. 515, n° 12, pp. 4955-4959 [5 pages] [bibl. : 20 ref.]
Langue
Anglais
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