Détail de la notice
Titre du Document
On distributions of defect states in low-k carbon doped silicon dioxide films in vicinity of Fermi level
Auteur(s)
LIGATCHEV V. ; WONG T. K. S.
Résumé
Spectrum of defect states N(E) in vicinity of Fermi level position in carbon-doped hydrogenated silicon dioxide (SiOCH) low-k films has been experimentally studied by deep level transient spectroscopy (DLTS) and space charge limited current (SCLC) techniques. The SiOCH films were deposited by CVD, using 3-methylsilane-oxygen mixture. Good correlation is found between features of defect spectrum obtained by DLTS and the SCLC techniques for the same SiOCH samples. In particular, N(E) peaks at 0.15-0.20 and 0.25-0.30 eV below Ec have been detected by both techniques. These peaks are attributed to doubly negatively charged silicon vacancy in hexagonal or rhombohedral SiC-like phases.
Editeur
Institute of Electrical and Electronics Engineers
Identifiant
ISSN : 1099-0062
Source
Electrochemical and solid-state letters A. 2004, vol. 7, n° 12, pp. F89-F92
Langue
Anglais
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