Détail de la notice
Titre du Document
MBE-grown epitaxial oxides for advanced gate stack
Auteur(s)
FOMPEYRINE J. ; NORGA G. ; GUILLER A. ; ...
Corporation(s) du ou des auteurs
IMEP ENSERG Grenoble FRA (Organisateur de congrès)
Résumé
A direct epitaxy approach for the growth of single crystal oxide thin films on silicon substrates using molecular beam epitaxy is presented. An appropriate surface orientation and adequate lattice matching are required to obtain thin films with good structural properties. Here, we report the growth of high quality layers on Si(111) using a solid solution of lanthanum and zirconium oxides. Composition as well as growth temperature effects are discussed. Capacitance measurements on MOS capacitors indicate a dielectric constant larger than 20.
Editeur
IMEP
Type du document
Conférence : WODIM : workshop on dielectrics in microelectronics, 12, Grenoble, FRA, 2002-11-18
Identifiant
ISSN : ISBN : 2-9514840-0-3
Source
A. 2003, pp. 65-68 [4 pages] [bibl. : 10 ref.]
Langue
Anglais
Pour les membres de la communauté du CNRS, ce document est autorisé à la reproduction à titre gratuit.
Pour les membres des communautés hors CNRS, la reproduction de ce document à titre onéreux sera fournie sous réserve d’autorisation du Centre Français d’exploitation du droit de Copie.

Pour bénéficier de nos services (strictement destinés aux membres de la communauté CNRS (Centre National de la Recherche Scientifique), de l'ESR français (Enseignement Supérieur et Recherche), et du secteur public français & étranger) :