Détail de la notice
Titre du Document
Effect of hydrogen dilution on amorphous hydrogenated silicon Thin Film Transistors
Auteur(s)
BHATTACHARYA E. ; SREERAMAN S. ; PADMARAM R. ; ...
Corporation(s) du ou des auteurs
International Society for Optical Engineering Bellingham WA USA (Organisateur de congrès)
Résumé
We have studied the effect of gas phase hydrogen dilution on the properties of amorphous hydrogenated silicon (a-Si:H) thin films and on the characteristics of Thin Film Transistors (TFTs) in which the active layer is grown with varying hydrogen dilution., The films showed an initial decrease in conductivity followed by an increase with hydrogen dilution. We think that microcrystallisation at large hydrogen dilution could be the cause of the increase in conductivity. TFTs were made in the inverted staggered structure with a silicon nitride layer as the insulator. We see a factor of 2G improvement in mobility as the gas phase hydrogen concentration is increased from 0% to abor 98% without a significant change in the current ON/OFF ratio.
Editeur
SPIE
Type du document
Conférence : International workshop on the physics of semiconductor devices, 10, Delhi, IND, 1999-12-14
Identifiant
ISSN : ISBN : 0-8194-3601-1
Source
SPIE proceedings series A. 2000, vol. 3975, 2, pp. 345-348 [bibl. : 5 ref.]
Langue
Anglais
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